對(duì)于專業(yè)的測(cè)試人員關(guān)于CP和FT的測(cè)試肯定是非常的了解了，但很多非測(cè)試專業(yè)的從業(yè)人員對(duì)這兩個(gè)概念其實(shí)了解并不像那樣深刻。所以本文將對(duì)于那些需要接觸測(cè)試但不是測(cè)試人員的人進(jìn)行關(guān)于CP和FT的測(cè)試的講解。
按照國(guó)際慣例，首先需要再解釋一下什么是CP和FT測(cè)試.CP是（Chip Probe）的縮寫，指的是芯片在wafer的階段，就通過(guò)探針卡扎到芯片管腳上對(duì)芯片進(jìn)行性能及功能測(cè)試，有時(shí)候這道工序也被稱作WS（Wafer Sort）；而FT是Final Test的縮寫，指的是芯片在封裝完成以后進(jìn)行的最終測(cè)試，只有通過(guò)測(cè)試的芯片才會(huì)被出貨。
由于測(cè)試治具上的差異，CP和FT的不同點(diǎn)并不僅僅限于所處的工序階段不同，兩者在效率和功能覆蓋上都有著明顯的差異，這些信息是每一個(gè)IC從業(yè)人員需要基本了解的。
在絕大多數(shù)情況下，特別是在國(guó)內(nèi)，我們目前在CP測(cè)試上選用的探針都還是懸臂針（也有叫環(huán)氧針的，因?yàn)獒樖怯铆h(huán)氧樹(shù)脂固定的緣故）。這種類型的針比較長(zhǎng)，而且是懸空的，信號(hào)完整性控制上非常困難，所以一般數(shù)據(jù)的最高傳輸率只有100~400Mbps，高速信號(hào)的測(cè)試是幾乎不可能的；另外，探針和pad的直接接觸在電氣性能上也有局限，容易產(chǎn)生漏電和接觸電阻，這對(duì)于高精度的信號(hào)測(cè)量也會(huì)帶來(lái)巨大的影響。所以，通常CP測(cè)試僅僅用于基本的連接測(cè)試和低速的數(shù)字電路測(cè)試。
當(dāng)然，理論上在CP階段也可以進(jìn)行高速信號(hào)和高精度信號(hào)的測(cè)試，但這往往需要采用專業(yè)的高速探針?lè)桨?，如垂直?MEMS探針等技術(shù)，這會(huì)大大增加硬件的成本。多數(shù)情況下，這在經(jīng)濟(jì)角度上來(lái)說(shuō)是不合算的。
那這樣一來(lái)，我們還需不需要CP測(cè)試？或者在CP測(cè)試階段如何對(duì)具體測(cè)試項(xiàng)目進(jìn)行取舍呢？要回答這個(gè)問(wèn)題，我們就必須對(duì)CP的目的有深刻的理解。那CP的目的究竟是什么呢？
如何區(qū)分CP測(cè)試和FT測(cè)試
首先，CP最大的目的就是確保在芯片封裝前，盡可能地把壞的芯片篩選出來(lái)以節(jié)約封裝費(fèi)用。所以基于這個(gè)認(rèn)識(shí)，在CP測(cè)試階段，盡可能只選擇那些對(duì)良率影響較大的測(cè)試項(xiàng)目，一些測(cè)試難度大，成本高但fail率不高的測(cè)試項(xiàng)目，完全可以放到FT階段再測(cè)試。這些項(xiàng)目在CP階段測(cè)試意義不大，只會(huì)增加測(cè)試的成本。要知道，增加一個(gè)復(fù)雜的高速或高精度模擬測(cè)試，不僅僅會(huì)增加治具的成本，還會(huì)增加測(cè)試機(jī)臺(tái)的費(fèi)率和增加測(cè)試時(shí)間。這些測(cè)試項(xiàng)目在FT階段都是要測(cè)試的，所以沒(méi)有必要放在CP階段重復(fù)進(jìn)行了。
其次，一些芯片的部分模組地管腳在封裝的時(shí)候是不會(huì)引出來(lái)了，也就是說(shuō)在FT階段這些模組很難甚至無(wú)法測(cè)量。在這樣的情況下，測(cè)試就必須在CP階段進(jìn)行。這也是必須進(jìn)行CP測(cè)試的一個(gè)重要原因。
還有一種特殊情況，芯片的封裝是SIP之類的特殊形式。一方面這種封裝形式在FT階段可測(cè)性較低，而且多芯片合封的情況下，整體良率受每顆die的良率影響較大，所以一般需要在封裝前確保每顆die都是好品 （KGD： Known Good Die）。這種情況下，往往無(wú)論多困難，都需要在CP階段把所有測(cè)試項(xiàng)目都測(cè)一遍了。
所以，基于以上的認(rèn)識(shí)，我們就比較容易在具體項(xiàng)目中判斷CP測(cè)試項(xiàng)目的取舍了。
簡(jiǎn)單而言：
1） 因?yàn)榉庋b本身可能影響芯片的良率和特性，所以芯片所有可測(cè)測(cè)試項(xiàng)目都是必須在FT階段測(cè)試一遍的，而CP階段則是可選。
2） CP階段原則上只測(cè)一些基本的DC，低速數(shù)字電路的功能，以及其它一些容易測(cè)試或者必須測(cè)試的項(xiàng)目。凡是在FT階段可以測(cè)試，在CP階段難于測(cè)試的項(xiàng)目，能不測(cè)就盡量不測(cè)。一些類似ADC的測(cè)試，在CP階段可以只給幾個(gè)DC電平，確認(rèn)ADC能夠基本工作。在FT階段再確認(rèn)具體的SNR/THD等指標(biāo)。
3） 由于CP階段的測(cè)試精度往往不夠準(zhǔn)確，可以適當(dāng)放寬測(cè)試判斷標(biāo)準(zhǔn)，只做初步篩選。精細(xì)嚴(yán)格的測(cè)試放到FT階段。
4） 如果封裝成本不大，且芯片本身良率已經(jīng)比較高。可以考慮不做CP測(cè)試，或者CP階段只做抽樣測(cè)試，監(jiān)督工藝。
5） 新的產(chǎn)品導(dǎo)入量產(chǎn)，應(yīng)該先完成FT測(cè)試程序的開(kāi)發(fā)核導(dǎo)入。在產(chǎn)品量產(chǎn)初期，F(xiàn)T遠(yuǎn)遠(yuǎn)比CP重要。等產(chǎn)品逐漸上量以后，可以再根據(jù)FT的實(shí)際情況，制定和開(kāi)發(fā)CP測(cè)試。
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